خوش آمدید

جستجو

تبلیغات





مقاله ترجمه شده برق الکترونیک درباره انرژی خورشیدی و آرایه های فوتوولتاییک

    روشی جامع برای مدل کردن و شبیه سازی آرایه های فتوولتاییک

     

        این مقاله یک روش مدل سازی و شبیه سازی آرایه های فتوولتاییک را اریه می دهد. هدف اصلی در اینجا، پیدا کردن پارامترهای معادلات غیرخطی I-V، با تنظیم منحنی در سه نقطه، می باشد: مدار-باز، ماکزیمم توان، اتصال کوتاه. با داشتن این سه نقطه _که توسط همه دیتاشیت های آرایه های تجاری اراایه می شوند_ مدل ارایه شده، بهترین معادلات I-V را برای مدل فتوولتاییک تک-دیود (PV)، شامل اثر مقاومت های سری و موازی، می یابد و تضمین می کند که ماکزیمم توان مدل با ماکزیمم توان آرایه ی واقعی، مطابق باشد. با داشتن پارامترهای معادلات تنظیم شده I-V، می توان یک مدل مداری PV را با یک شبیه ساز مداری _با استفاده از بلوک های ساده ریاضی_ ساخت. روش مدل کردن و مدل مداری ارایه شده، برای طراحان الکترونیک قدرتی که به یک روش مدل سازی ساده، سریع، دقیق، و آسان برای بکاربری در شبیه سازی سیستم های PV نیاز دارند، سودمند می باشد. در صفحات نخست، خواننده با وسایل PV آشنا می شود و پارامترهایی را که مربوط به مدل PV تک-دیود می شوند را درمی یابد.سپس روش مدل سازی معرفی شده و بصورت دقیق ارایه می شود. این مدل برای اطلاعات تجربی آرایه های PV تجاری، معتبر می باشد.

    اصطلاحات مربوطه__ آرایه، مدار، معادل، مدل، مدل سازی، فتوولتاییک (PV)، شبیه سازی.


    این مطلب تا کنون 10 بار بازدید شده است.
    منبع
    برچسب ها : سازی ,شبیه ,آرایه ,فتوولتاییک ,مداری ,توان ,شبیه سازی ,ماکزیمم توان ,ارایه شده، ,پارامترهای معادلات ,سازی آرایه ,
    مقاله ترجمه شده برق الکترونیک درباره انرژی خورشیدی و آرایه های فوتوولتاییک

تبلیغات


    محل نمایش تبلیغات شما

پربازدیدترین مطالب

آمار

تبلیغات

محل نمایش تبلیغات شما

تبلیغات

محل نمایش تبلیغات شما

آخرین کلمات جستجو شده

تگ های برتر